2010年10月14日

SiC SBDの逆回復特性の実験



国産で初めて量産化に成功したロームのSiC SBD、SCS110AGについての特性評価及びデバイスモデリングを行います。

SiCのショットキバリアダイオードのデバイスモデリングには、

順方向特性
逆方向特性
容量特性
逆回復特性(この特性が存在する場合、通常はTT=0です)

上記の特性図、波形データが必要になります。

今回は常温での逆回復特性を測定致しました。測定方法は、IFIR法
です。測定条件は下記のようにしました。

IF=0.2A
IR=0.2A
RL=50 ohm

です。

上記の写真が逆回復特性の波形になります。

trr=28nsec

です。

trrの内訳は、

trr=trj+trb=12n+16n

です。

SiCデバイスは温度特性が良いと言われています。そのあたりも測定
していきます。

下記の動画は、Siのスイッチングダイオードの逆回復特性の様子です。
常温から、高温へと変化させております。高温になると、常温と比較
して、だいぶ逆回復時間が長くなっております。つまり、スイッチング
をしているのであれば、スイッチング損失はどんどん、増えていくわけ
です。この動画はシリコンデバイスですが、これがSiCデバイスになっ
たらどうなるのか?興味あります。



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Posted by ビー・テクノロジー at 16:41│Comments(0)研究開発
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