2010年09月14日

SiC ショットキバリアダイオードのスパイスモデル



SiC SBD(ショットキバリアダイオード)のスパイスモデルの等価回路
に関する技術資料をスパイス・パーク内カテゴリーショッットキ・
バリア・ダイオードのトップページで公開致します。この機会にご参照
下さい。

ご参照が開始できる時間は、2010年9月14日13:00以降になります。

幾つかのSic SBDのスパイスモデルはスパイス・パークで
ご提供しております。現在は、Cree社のデバイスのみです。最近では、
新聞等でご存知の通り、国産、つまり、日本国内の半導体メーカーが
ようやく、サンプル出荷を始めました。

SiCデバイスのスパイスモデルの用途は、過渡解析にて、損失計算を
行い、シリコンデバイスの損失とどの程度、異なるのか?省エネ設計
に活用されているお客様が多いです。スイッチング損失の計算は、
回路実験で正確に算出することは困難であり、そういうところで、
回路解析シミュレーションの威力が発揮出来ます。

スパイスパーク内のショットキバリアダイオードのCree社のカテゴリー
にて、PDFファイルで全てのデバイスモデリングレポートがご参照出来
ます。

また、SiCデバイス関連では、

SiC JunctionFET
SiC BJT
SiC MOSFET
SiC SBD

上記の4種類のスパイスモデルのご提供が可能です。スパイスモデル、
アプリケーション回路のシミュレーションも含め、是非、お問い合わせ
下さい。

[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
電話番号:03-5401-3851
メールアドレス:info@bee-tech.com


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Posted by ビー・テクノロジー at 12:15│Comments(0)営業
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