2010年07月23日

テクノフロンテア2010(SiCデバイス)


昨日、隙間時間を活用し、1時間30分ほど、東京ビックサイトに行って
きました。目的は、テクノフロンテア2010を見学する為です。会場は、
ガラガラでした。時間帯、曜日にもよるのでしょう。私にとっては、幸運
であり、担当者を捕まえて、質問を沢山する事が出来ました。

今回は、SiCデバイスの動向です。国内外の半導体メーカーがトピック
として展示しています。それを観るのと、担当者から説明を受けるわけ
です。

やはり、電気的特性において温度特性に優れている事が、特性図より、
実感しました。面白いのは、ロームがSiC D-MOSFETを展示しており、
温度特性の話が聞けました。

まだ、開発中ですが、パッケージ化はされていました。これらが、アプリ
ケーション回路でどの程度、損失が小さくなり、温度要因で影響の効果
が出るのか?シミュレーションしてみたいです。

SiデバイスとSiCデバイスのデバイスモデリングを行えば、SPICEシミュレ
ータで簡単に過渡解析で損失計算出来ます。

久々に面白い展示会でした。見学者に中国人が多かったです。


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Posted by ビー・テクノロジー at 09:32│Comments(0)市場開発
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