2011年04月29日

SiC SBDのスパイスモデルのリスト(29APR2011)



2011年4月29日現在にて、SiC SBDのスパイスモデルは、62モデル
のご提供を行っております。

シミュレーションにおけるSiデバイス部分へのリプレイスにご活用
下さい。シミュレーションの場合、トレース機能にて、電流X電圧
で簡単に損失計算が出来ます。

Siデバイスの場合とSiCデバイスの場合でどの程度、損失が異なるか
を解析できます。

[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
電話番号:03-5401-3851
メールアドレス:info@bee-tech.com  

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2011年04月29日

2011年4月24日現在のSiC SBDのスパイスモデル



2011年4月24日現在にて、SiC SBDのスパイスモデルは、56モデル
のご提供を行っております。

シミュレーションにおけるSiデバイス部分へのリプレイスにご活用
下さい。シミュレーションの場合、トレース機能にて、電流X電圧
で簡単に損失計算が出来ます。

Siデバイスの場合とSiCデバイスの場合でどの程度、損失が異なるか
を解析できます。

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2011年04月28日

画像信号取り込み環境構築(テストはMSX)

MSX�����#msx on Twitpic

今日、隙間時間を使用して、画像信号取り込み環境えお構築した。全て汎用品
です。便利な世の中です。テストとして、MSXからの映像信号を取り込みました。

MSX、懐かしいです。MSXがまだ辛うじて動作しています。使い道はありませんが、
捨てに捨てれない。デバイスです。  

Posted by 株式会社ビー・テクノロジー at 18:38Comments(0)生活

2011年04月28日

IGBTのスパイスモデルの特徴について

Posted by 株式会社ビー・テクノロジー at 16:36Comments(0)製品

2011年04月28日

PSpiceを活用した太陽光システムシミュレーション



PSpiceを活用した太陽光システムシミュレーションの事例です。

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2011年04月28日

コイルのモデルパラメータの最適化



コイルの周波数特性の最適化をPSpiceAAOにて行いました。
周波数帯域:100-100k[Hz]で活用出来るように解析精度を
向上させました。

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Posted by 株式会社ビー・テクノロジー at 15:29Comments(0)研究開発

2011年04月28日

スパイス・パークの2011年5月度アップデート





今回は、SiC SBDのスパイスモデルのライブラリーを充実致しました。

InfineonのSiC SBDです。

IDH02SG120
IDH03SG60C
IDH04SG60C
IDH05S120
IDH05SG60C
IDH06SG60C

詳細は、デバイスモデリングレポートをご参照下さい。

スパイス・パークのスパイスモデルのご提供方法は、一括販売を始め、分類販売、
1個からの販売も行っております。是非、お問い合わせ下さい。

スパイス・パークのWEB版もあります。

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2011年04月28日

鉛蓄電池の充放電特性を考慮したスパイスモデル



鉛蓄電池の充放電特性を考慮したスパイスモデルの資料です。
このスパイスモデルの特徴は、

充電特性が考慮されている。
放電特性が考慮されている。

上記の2つの特性が基本特性です。この特性に必要に応じて、
温度特性及び劣化特性を付加することが出来ます。

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2011年04月28日

損失からの視点(トランスのスパイスモデル)



現在、トランスの新しい等価回路モデルを開発中です。現在のトランスのモデルの
主流は周波数特性モデルです。それに加えて、損失もシミュレーションである程度、
見積もれないか?という要求に対応すべく、開発中です。

損失は大きく分けると、鉄損と銅損です。

マインドマップに纏めると上記のようになります。これをベースに発展させていき
ます。

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2011年04月26日

トランジスタ技術2011年5月号正誤表情報

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トランジスタ技術2011年5月号正誤表です。
132ページ 表1(a) SiC MOSFET SCU210AX(ローム)

上記のスライドが正しい表記になります。

ご訂正し、ご参照下さい。

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